ABD’li yarı iletken üreticisi Micron, DRAM üretiminde bugüne kadar yüksek hacimli bellek yongalarının üretimi için DUV yani derin ultraviyole litografi araçlarını kullanarak ilerlemişti. Firmanın rakipleri üretim süreçlerini aşırı ultraviyole litografi (EUV) makinelerine kaydırırken Micron aceleci davranmamıştı. Ancak firma şimdi EUV’yi benimseyeceğini açıkladı. Micron, EUV’ye geçiyor
Firma bu yıl EUV kullanarak 1γ (1-gama) üretim sürecinde pilot bellek üretimine başlamış durumda. Bu bellekler 2025 yılında ise seri üretime geçiş yapacak. Yapılan açıklamada pilot üretimin iyi bir şekilde ilerlediğinin de altı çiziliyor. Bununla birlikte Micron, 1γ (1-gama) DRAM süreç teknolojisine büyük umutlar bağlıyor. Firma, EUV sayesinde sektördeki en küçük DRAM hücrelerini üretmek istiyor. Bu sayede sektördeki en ucuz ve daha enerji verimli bellek yongalarının üretilmesi hedefleniyor. Öte yandan EUV’ye geçişle birlikte DRAM yongalarının performansında ne gibi kazanımların olacağı ise henüz belli değil. Ek olarak pilot üretim programı şirketin Japonya’daki tesisinde gerçekleştiriliyor. Micron’un EUV’ye geçişi ise bir sürpriz değil. Firma zaten bir süredir ASML’nin Twinscan NXE EUV litografi makinelerini deniyor ve üretim akışlarını yeni araçlara entegre etmek için testler gerçekleştiriyordu. EUV destekli 1γ ve 1δ (1-delta) üretim teknolojilerinin ötesinde Micron, 3D DRAM mimarilerinin yanı sıra önümüzdeki yıllarda DRAM üretimi için ASML’nin en yeni High-NA EUV makinelerinin kullanımını da araştırıyor.